检测项目
1. 晶面取向偏差测定：测量偏离理论角度的误差范围（±0.1°~±2°），适用硅基/化合物半导体。
2. 表面粗糙度分析：采用Ra/Rz参数评估平面度（Ra≤0.05μm），分辨率达0.1nm。
3. 晶格常数偏差检测：测定晶胞参数变化量（精度±0.001Å），覆盖立方/六方晶系。
4. 位错密度量化：通过蚀刻法或XRT技术统计单位面积缺陷数（≥10^3 cm⁻²）。
5. 薄膜外延层厚度测量：台阶仪或椭偏仪测试厚度均匀性（误差±1nm）。
检测范围
1. 单晶硅片（直径200-300mm）：用于集成电路制造中的衬底质量验证。
2. 蓝宝石衬底（Al₂O₃）：LED行业外延生长前的表面平整度控制。
3. 碳化硅晶圆（4H-SiC/6H-SiC）：功率器件生产的晶向一致性核查。
4. 铌酸锂光学晶体（LiNbO₃）：光子器件极化结构的定向分析。
5. 金属单晶材料（Cu/Al）：超精密加工件的晶界分布评估。
检测方法
1. ASTM F26-21：X射线劳厄法测定单晶晶向（误差±0.05°）。
2. ISO 14707:2021：辉光放电光谱法分析表面元素偏析。
3. GB/T 1555-2020：半导体材料晶向测试的激光定向技术。
4. ISO 25178-2:2022：原子力显微镜三维表面形貌测量规范。
5. GB/T 32281-2015：半导体晶片翘曲度非接触式干涉测量法。
检测设备
1. PANalytical X'Pert3 MRD X射线衍射仪：全自动四圆测角仪（角度分辨率0.0001°）。
2. Bruker Dimension Icon原子力显微镜：ScanAsyst模式实现0.1nm垂直分辨率。
3. KLA Tencor P-17台阶仪：200mm行程探针式厚度测量系统。
4. Thermo Fisher ARL EQUINOX 3000 X射线定向仪：实时成像定位晶体学轴向。
5. Zygo NewView 9000白光干涉仪：0.1Å级表面粗糙度分析模块。
6. Hitachi SU5000热场发射电镜：纳米级位错观测（放大倍数×1,000,000）。
7. Olympus LEXT OLS5000激光共聚焦显微镜：408nm激光波长下实现亚微米级缺陷识别。
8. Rigaku SmartLab SE高分辨衍射系统：小角度散射分析晶格畸变（q范围0.001-5Å⁻¹）。
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
